三星UFS 5.0正式亮相：传输速度翻倍，AI设备性能再进化

三星电子近日正式公布业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，新一代产品主要面向端侧AI应用打造，可满足智能手机、XR设备及AI可穿戴设备对高速数据传输和本地AI运算的需求。

据了解，UFS 5.0采用三星第九代V-NAND（V9）闪存技术，并符合JEDEC最新嵌入式存储接口标准。官方数据显示，新产品最高数据传输带宽可达10.8GB/s，顺序读取速度达到10.8GB/s，顺序写入速度达到9.5GB/s，相较上一代产品整体性能实现大幅提升，可进一步满足AI模型加载、影像处理及大型应用运行需求。

除了性能升级外，UFS 5.0在能效方面也有所优化。三星表示，新产品通过引入时钟门控、多电压管理等技术，在保持高性能的同时降低整体功耗，官方数据显示能效相比上一代提升超过40%，也有助于减少设备发热，提升续航表现。

在产品设计方面，UFS 5.0封装尺寸缩小至7.5mm×13mm×0.9mm，体积较前代减少约16.7%，为智能手机、智能穿戴以及XR设备释放更多内部空间，同时最高可提供1TB存储容量，兼顾轻薄设计与大容量需求。

三星预计将于今年第四季度启动UFS 5.0量产，未来将率先应用于旗舰智能手机、XR头显以及AI可穿戴设备等新一代终端产品。

三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡表示，随着端侧AI快速发展，存储性能已经成为影响AI体验的重要因素，高速、低功耗的存储方案将进一步推动终端设备性能升级。

市场研究机构TrendForce数据显示，今年第一季度三星电子在NAND闪存市场以31.6%的市占率继续排名第一，季度营收约135亿美元，较上一季度实现超过一倍增长，进一步巩固其在全球存储市场的领先地位。